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备的影响有以下类型： 破坏 电压击穿半导体器件 破坏元器件金属化表层 破坏印刷电路板印刷线路或接触点 破坏三端双可控硅元件/晶闸管…… 干扰 锁死、晶闸管或三端双向可控
http://blog.alighting.cn/143340/archive/2013/5/22/317776.html2013/5/22 20:43:51
者，尽管下游照明市场打开了一个口，海外市场和国内商业照明市场有了出路，但是就行业整体而言，上游从事显示用芯片的厂商受困产能过剩，仍旧苦不堪言；中游封装、器件乃至下游终端应用生产
http://blog.alighting.cn/gzds3142/archive/2013/5/22/317737.html2013/5/22 12:33:37
2013年5月20日，led 照明领域的市场领先者科锐公司宣布，2013科锐led创新技术交流会在北京、上海、深圳、广州成功举办。科锐通过此次一系列的技术交流会，与来自国内近700
https://www.alighting.cn/news/20130521/112391.htm2013/5/21 9:36:09
发、生产、出口基地，建设中国国际led展示中心，带动led芯片、五金、注塑、模具、电子、光学器件、景观工程、装饰装修等相关联的上下游产业的发展，打造国际知名半导体照明企业。 国
http://blog.alighting.cn/178081/archive/2013/5/20/317603.html2013/5/20 20:36:50
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
研究了led的高速调制特性,提出了电流限制层结构,在led器件的驱动电路上增加一对并联的rc元件的新的设计思想,该技术在工艺上很容易实现且在改善高速led性能方面有实际应用价值。
https://www.alighting.cn/2013/5/16 11:50:13
光效的白炽灯减少 80% 3. 适用性：很小，每个单元 led 小片是 3-5mm 的正方形，所以可以制备成各种形 状的器件，并且适合于易变的环境 4. 稳定性： 10 万小时，光
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/15/317211.html2013/5/15 10:53:53
响。2012年12月，“硅衬底氮化镓基led材料及大功率器件”荣获2012年国家工信部信息产业重大技术发明，这是国家对硅衬底led技术的高度肯定与支持。同时，晶能光电实现硅衬底大功率le
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/5/15/317208.html2013/5/15 10:08:53
异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
线的方向性。通常有2个途径：1，采用漫透射材料（diffuser），例如乳玻璃、扩散片，大家常见的照度计上就采用这样的器件2，采用积分球进行余弦修正，积分球是最佳的余弦修正解决方
http://blog.alighting.cn/light2all/archive/2013/5/13/317076.html2013/5/13 10:51:18
