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利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的ZnO薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
走进开元广场，纪念碑上这样写道：大唐开元之治（公元713年-公元741年）是中国历史上公认的鼎盛时代。开元年间，唐玄宗李隆基励精图治，任贤纳谏，整饬吏治，倡兴文教，使得大唐王朝政
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2011/10/19/245158.html2011/10/19 1:58:07
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米ZnO柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、x射线衍射(xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对ZnO纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的ZnO薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长ZnO薄膜,研究了缓冲层的生长温度对ZnO外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性衬底能够减少ZnO与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
实验利用磁控溅射方法,采用ZnO陶瓷靶,以石英为衬底,制备了不同si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
