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传三安光电将入股新世纪光电

传大陆led磊晶厂三安被业界传将入股台厂,上周高层率队低调访问新世纪。据了解,三安开出的条件极佳且态度积极,加上双方产品互补、市场有区隔,将可能在年底前谈定合作模式,携手抢攻明年照

  https://www.alighting.cn/news/20120920/113211.htm2012/9/20 9:54:10

科锐扩展产品种类,推出低基面位错 4h 碳化硅外延

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34

“十一”未至,光伏先休

会昇阳科、昱晶、新日光等台厂,寻求合作机会,并向台厂介绍ldk最新的高效能太阳能硅晶圆产品。   兴雪昨表示,"太阳能价格再跌有限,杀价抢市已毫无意义",ld

  http://blog.alighting.cn/zggdsb/archive/2012/9/19/290399.html2012/9/19 16:34:54

南通同方使用veeco设备生产氮化镓led

南通同方已采用veeco的设备成功生产基于蓝宝石衬底的氮化镓led,硅基氮化镓led将成为其未来几年投资重点,并将继续采用veeco设备。

  https://www.alighting.cn/news/20120919/113212.htm2012/9/19 15:43:29

科锐推最新低基面位错100毫米4h碳化硅外延

科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示:“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用于

  https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25

科锐推出低基面位错4h碳化硅外延

科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.

  https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38

晶圆厂:有钱未必就能玩得起

来自全球各地半导体大厂开始兴建12寸晶圆厂并投入量产,至今已超过10年时间,这10年当中,12寸厂带来的最大好处,就是将芯片成本大幅降低,也让半导体制程得在顺利依循摩尔定

  https://www.alighting.cn/news/20120919/99139.htm2012/9/19 11:04:58

电子束辐照对gan基led发光性能的影响

研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进

  https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14

led蓝宝石衬底研磨三部曲

led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”,这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂抹

  https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39

浪潮华光两项省级信息产业发展基金课题通过验收

9月14日上午,由山东浪潮华光光电子股份有限公司承担的2010年山东省信息产业发展重大专项——“半导体照明用高性能led外延片及芯片产业化”和2011年信息化专项——“基于

  https://www.alighting.cn/news/2012918/n181843633.htm2012/9/18 16:12:40

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