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有两种汞齐，主汞齐位于泡壳底部的短管中，一旦灯稳定工作它就提供汞原子。辅助汞齐放置在一个紧贴凹腔的铟网上，并使铟网与放电热接触。一旦通电汞很快从辅助汞齐中蒸发出来，在10s内就可以使
http://blog.alighting.cn/emengsd/archive/2008/10/9/655.html2008/10/9 0:17:00
向德国mocvd生产设备商aixtron下订机台，将开发氮化鎵（gan-based）蓝光led，首部机台将于q3送达，据悉，华新丽华看好led照明应用，未来将致力于生产高功率le
https://www.alighting.cn/news/20080826/117320.htm2008/8/26 0:00:00
https://www.alighting.cn/news/20080822/91860.htm2008/8/22 0:00:00
面向大批量、固态照明市场提供节能led技术的领先供应商普瑞光电股份有限公司（以下简称普瑞光电）2008年6月4日宣布，公司最新研制的nlx-5高功率氮化镓（gan）led芯片已正
https://www.alighting.cn/news/20080805/119029.htm2008/8/5 0:00:00
乔治亚州技术研究所半导体中心的russell d.dupuis教授介绍了高亮绿光led的应用，以及他的绿光led的最新研究成果：通过改善绿光led w/ p型氮化镓铟空穴注入和联
https://www.alighting.cn/news/20080801/104243.htm2008/8/1 0:00:00
届氮化物半导体结晶生长国际研讨会（isgn-2）」上发佈。由此可实现用于杀灭大肠桿菌等的杀菌灯的小型化。此前在280nm波长区域，最大功率为美国南卡罗莱纳大学研究小组的8m
https://www.alighting.cn/news/20080711/95237.htm2008/7/11 0:00:00
led基础理论知识分析—一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）led发光原理发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物，如gaas（砷化镓）、gap（磷化镓）、gaasp（磷砷化镓）
http://blog.alighting.cn/meifuhui/archive/2008/7/4/55.html2008/7/4 22:53:00
底氮化镓基led外延材料与芯片生产的高科技企业，坐落在南昌国家高新区美丽的赣江之滨艾溪湖
https://www.alighting.cn/news/20080507/101876.htm2008/5/7 0:00:00
中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」制造取得重大突破，研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片led外延
https://www.alighting.cn/news/20080414/93175.htm2008/4/14 0:00:00
2008年4月8日，面向高亮度、固态照明市场的led技术供应商普瑞光电(bridgelux)宣布，已完成总值约为4000万美元(私募股权投资3000万美元，银行信用贷款约1000万
https://www.alighting.cn/news/20080410/118848.htm2008/4/10 0:00:00
