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2000年韩国制定了“氮化镓半导体开发计划”，成立光产业振兴会(kapid)，负责计划的组织与实施。2000-2008年政府计划投入4.72亿美元，企业投入7.36亿美元。
https://www.alighting.cn/news/20070803/101059.htm2007/8/3 0:00:00
showadenkok.k公司宣布将会在日本千叶的工厂投资接近4100万美元来扩大基于氮化镓蓝光led的生产力达到2亿个单位每月。蓝光led芯片的产量也将会在今年底从3000万
https://www.alighting.cn/news/2007724/V2534.htm2007/7/24 14:16:00
近日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮
https://www.alighting.cn/news/2007724/V6183.htm2007/7/24 11:03:48
https://www.alighting.cn/news/20070723/116626.htm2007/7/23 0:00:00
针对led的散热问题，led产业的许多先进解决方案中，处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn)，该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾
https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00
发光二极管（led）是一种由磷化镓（gap）等半导体材料制成的、能直接将电能转变成光能的发光显示器件。当其
https://www.alighting.cn/news/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15
https://www.alighting.cn/resource/2007530/V12591.htm2007/5/30 15:26:15
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用led，以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
