站内搜索
在极短的瞬间(纳秒级)对led芯片的两个电极之间进行放电，瞬间将在两个电极之间(阻值最小的地方，往往是电极周围)的导电层、发光层等芯片内部物质产生局部的高温，温度高达1400
https://www.alighting.cn/2012/3/22 12:56:19
闸)，并且将电路中的电流降低到一个任何电路单元都能够安全承载的电流值。这种变化由i2r发热原理带来的器件温度迅速升高而引
https://www.alighting.cn/resource/20120308/126687.htm2012/3/8 16:50:29
本文对高温固相法制备稀土掺杂sr2sio4∶eu荧光粉进行了深入的研究：通过对sr2sio4∶eu荧光粉的合成温度、保温时间、激发波长、掺杂离子种类等制备工艺的优化，确定稀土掺
https://www.alighting.cn/2012/3/6 18:20:23
膜进行了表征和分析。研究了退火温度、氧氩比和溅射功率对薄膜光电特性的影
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126989.htm2011/10/20 14:02:02
以都属于潮湿敏感性元件，而潮湿敏感性元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于树脂的表面贴装元件(smd, surface mount device)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损
https://www.alighting.cn/2011/10/19 17:00:53
m，hall和pl对其进行研究。结果表明，在衬底温度为500℃时，生长的zno薄膜具有优良的晶体质量，电学性能和发光性
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
实验利用磁控溅射方法,采用zno陶瓷靶,以石英为衬底,制备了不同si掺杂浓度的样品,并在氧气氛下对样品做了不同温度的快速退火和随炉温自然退火处理,为了对比,实验采用了同样的制备方
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48
n的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3ka/cm2,特征温度为145k
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
利用ansys软件对大功率led进行三维有限元热分析，并绘制了其受不同因素影响时器件的温度云图，通过比较各种因素对散热性能的影响，得出结论：在经过必要的选材优化后，对于材料热导
https://www.alighting.cn/resource/20110801/127360.htm2011/8/1 10:52:34
led的光学测量需要适宜的环境温度，高度和结温要求，主要仪器有积分球和光度计。积分球的原理是在整个球面对光强度进行积分，光度计是测量光强的空间分布，有旋转镜面和双镜面光度计等多
https://www.alighting.cn/resource/20110612/127510.htm2011/6/12 19:04:27
