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0 c$mP@| va7y2e0 特点：照明工程师社区2x0wma1g4o /sb)~4P,\r0 1、通过调整高精度恒流芯片，保证led亮度、色度的一致性，在模块一级为下
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119306.html2010/12/9 14:14:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和P型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
组成，一部分是P型[1]半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-n结”.当电流通过导线作用于这
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120856.html2010/12/14 21:42:00
了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在P-gan层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了led芯片的工作功
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
m aln已经在si上形成了厚度均匀的连续薄膜，估计其穿透位错密度高达5×1010cm-2.在P侧使用ni/au电极；n电极则从si衬底面引出。对于 300×300mm的管芯，在4.5
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
件用tc=tj-P*rjc的公式近似。厂家规格书一般会给出，rjc， P等参数。一般P是在25度时的功耗。当温度大于25度时，会有一个降额指标。 一、可以把半导体器件分为功率器
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
丰led在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/1/26/128945.html2011/1/26 9:50:00
业（nichia）在gan的led中，将P型电极（P tyPe）部分做成网纹状（mesh Pattern），以此来增加P极的透明度，减少光阻碍同时提升光透量。 至于增加折反
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
热量低、抗震性能优异、制造成本低、可弯曲。所以oled更能够展示完美的视频，再加上耗电量小，可作为移动电话、数码电视等产品的显示屏，被业界公认为最具发展前景的下一代显示技术。 1
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134159.html2011/2/20 23:11:00
对这几种方式进行讨论，并给出显示驱动芯片max7219的应用实例。 并行译码显示方式 图1为单片机89c2051输出显示的一个例子，4位bcd码数据从其P1.0～P1.
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134180.html2011/2/20 23:23:00
