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穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石衬底芯片的esd值就
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267565.html2012/3/12 19:23:39
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268378.html2012/3/15 21:58:25
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268383.html2012/3/15 22:02:42
电的多少，与人穿的不同面料衣服、及各人的体质有关，秋冬季黑夜我们脱衣服就很容易看见衣服之间的放电现象，这种静电放电的电压就有三千伏。 碳化硅衬底芯片的esd值只有1100伏，蓝宝石
http://blog.alighting.cn/126414/archive/2012/4/10/271122.html2012/4/10 17:21:37
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271135.html2012/4/10 20:56:26
史： 1907年，henry joseph round第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。 1936年，georgedestiau的一份关于硫化锌粉末发射光的报告。随着电流的应用和广
http://blog.alighting.cn/130803/archive/2012/5/2/273416.html2012/5/2 14:56:46
次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。1936年，george desitiau出版了一份关于硫化锌粉末发射光的报告。20世纪50年代，英国科学家在电致发光的实验中是用半导体砷化镓发
http://blog.alighting.cn/144149/archive/2012/6/18/278932.html2012/6/18 15:47:32
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279434.html2012/6/20 23:05:05
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
