检索首页
阿拉丁已为您找到约 2001条相关结果 (用时 0.2270127 秒)

mocvd法制备磷掺杂p型ZnO薄膜

利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400~450℃

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25

合肥彩虹蓝光高亮度氮化镓led外延片试产成功

合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设,经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓led外延片的一次试产成功。

  https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51

尚茂将与三洋半导体携手,扩充led散热铝板产能

目前,尚茂已完成散热铝板用于led晶粒及照明之用,并已开发完成。且该公司利型产品占营收比重逐步提高,由3年前的15%提升至2011年的30%,预估2012年可上看50%以上的水

  https://www.alighting.cn/news/20110922/115280.htm2011/9/22 13:38:54

csa考察肯尼亚 推动中非半导体照明项目实施

csa落实2010年10月14日中华人民共和国科学技术部曹健林副部长和肯尼亚共和国高等教育与科学技术部莱米?穆维利亚副部长签订的《关于建设中肯半导体照明示范工程的谅解备忘

  https://www.alighting.cn/news/2011921/n384534580.htm2011/9/21 9:08:40

shwzbk20

【回收塑料网讯】:废塑料复合材料可再利用。具体如下:

  http://blog.alighting.cn/110474/2011/9/20 10:00:47

ganled溢出电流的模拟

通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20

ganled电流扩展对其器件特性的影响

ganled的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40

gan led外延片微结构分析及性能研究

本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的ganled外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了gan薄膜的晶格参

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

cu掺杂ZnO薄膜的光学性质

采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂ZnO薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13

包头市青山区兴旺路道路路灯采购及安装

公地址: 青山区自由路24号 资金来源: 自筹 计划投资: 约110万 建设规模: 青山区兴旺路(坦克路-赛汗路)全长1200m路灯采购及安装,路灯72 立项批准: 青发改

  http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/9/16/236548.html2011/9/16 9:38:29

首页 上一页 99 100 101 102 103 104 105 106 下一页