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坏,例如：微裂痕,氧化,结构改变,或者模具断裂应力低等损坏。而且haz的面积降低了十倍。 第三,微水刀大大的减少了污染程度。水压通常为50-500 巴,这使得微水刀能够有足
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
用的材料是砷(as)化镓(ga) ，其正向pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化镓(ga)，其正向pn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
→钝化→划片→测试→包装。 1.2主要制造工艺 采用thomasswanccs低压mocvd系统在50mmsi(111)衬底上生长gan基mqw结构。使用三甲基镓(tmg
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
成损坏。氧化层越薄，则led和驱动ic对静电的敏感性也就越大，例如焊锡的不饱满，焊锡本身质量存在问题等等，都会产生严重的泄漏路径，从而造成毁灭性的破坏。 另一种故障是由于节
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127080.html2011/1/12 17:19:00
个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127028.html2011/1/12 16:37:00
对车辆和行人产生非常大的安全隐患。尤其是led路灯，由于灯具壳体普遍采用铝材，表面的氧化铝属于亲水性材料，更容易产生冰凌凝结。2008年，我国南方大范围雪灾，造成铝制表面高压导线大
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127019.html2011/1/12 16:32:00
其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、晶圆针测工序 经过上道工序
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
将光发射器与硅电子学集成起来，将加速和扩大氮化镓在光电子和微电子方面的应用。 一、用硅作gan led衬底的优缺点 用硅作gan发光二极管（led）衬底的优点主要在
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
级半导体实验室开发出来，这项技术经过持续改进，第一个商用红光led在六十年代封装，采用了砷化镓磷化物。在七十年代的中期，生产绿光led,采用了磷化镓。第一个蓝光led在九十年代出
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126879.html2011/1/11 0:29:00
可以在大电流下使用300或500ma,进而达到三瓦的功率。本论文的技术方案是提供一种提高芯片亮度的方法，倒装焊芯片的电极与热沉芯片（硅、铜、氮化镓（gan）、钼、碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
