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极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263057.html2012/1/29 23:32:04
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263054.html2012/1/29 23:31:54
5人座52平米办公室。一楼有41平米纪念品商店。铝雕塑的内部是结实的钢结构。同时设计考虑无障碍设计，有残疾人车位和轮椅坡道。同时建筑配置了电梯和舒适的休息室。一鸣惊人。艺术建筑的新
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263039.html2012/1/29 23:31:10
用普通的铝散热，经多次测试，热沉的温度就只比散热器底部高3-5摄氏度。也就是说，如果真能用到一种导热特好的材料，在热阻为零的情况下，也就可以把温度降低3-5摄氏度。 2.迷信热
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262821.html2012/1/29 0:47:17
往的小功率led大得多，因此，所产生的热***一根细小的金属脚传导已是绝对不可能。我们的大功率led热沉/大功率led散热板，专为大功率led芯片导热而设计，材料采用铜或铝,热导
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262808.html2012/1/29 0:46:22
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262783.html2012/1/29 0:45:06
以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
d芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热;甚至设计二
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
e等等。 欧盟委员会制订了“氮化镓铝铟多彩光源彩虹项目”计划（rainbow project-alingan for multicolor sourceas），俗称彩虹计划。该计
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