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大光电科技有限公司成立。王敏与江风益组成全新团队，着力于led技术的研发。2004年，他们在 led技术上获得重大突破，发明了硅衬底氮化镓基led材料与器件技术。以此技术为核
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315434.html2013/4/24 15:59:37
晶和公司的硅衬底氮化镓基led材料与器件技术诞生，改写了国际半导体照明的历史。我国国家863专家组评价道：“它打破了目前日本日亚公司垄断蓝宝石衬底和美国cree公司垄断碳化硅衬底半导
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315436.html2013/4/24 16:01:47
响了全球led竞争格局。 1、联合创立的晶能光电是全球硅衬底led技术的主导者，其“硅衬底氮化镓基led材料及大功率器件”获2012年国家工信部信息产业重大技术发明，多次承担国家级重
http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/4/24/315438.html2013/4/24 16:07:14
现方法。目前，氮化镓基led获得白光主要有：蓝光led+黄色荧光粉、三色led合成白光、紫光led+三色荧光粉3种办法。最为常见形成白光的技术途径是蓝光led芯片和可被蓝光有效激
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/9/95839.html2010/9/9 16:46:00
d的主要实现方法。目前，氮化镓基led获得白光主要有：蓝光led+黄色荧光粉、三色led合成白光、紫光led+三色荧光粉3种办法。最为常见形成白光的技术途径是蓝光led芯片和可被蓝光有
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/107108.html2010/10/15 17:01:00
—辐射红色光谱（r），波长660纳米左右；·磷化镓 (gap)——辐射绿色光谱（g），波长570纳米左右；·氮化铟镓（inGaN）——辐射蓝光光谱（b），波长400纳米左右；1.
http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57
亚也成功取得了氮化镓led、荧光粉和led封装技术等多项相关专利。 2010年，日亚化学的全球销售额为32亿美金，在全球拥有7，000多个员工。日亚在中国的销售基地是香港、上海和北
http://blog.alighting.cn/aizaiyuji/archive/2011/7/13/229571.html2011/7/13 10:41:00
业内人士介绍：替换基板的led芯片制造工艺是，先在蓝宝石基板上使GaN系半导体结晶外延生长，然后将mo基板或mocu基板粘贴在GaN系半导体结晶上。随后揭下蓝宝石基板，切割成le
https://www.alighting.cn/pingce/20110211/123079.htm2011/2/11 13:03:34
本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/resource/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
研究了不同能量的电子束辐照对 GaN 基发光二极管(light emitting diode，led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对 GaN 基 le
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32
