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本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的led技术展开，到硅衬底led的
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为gan的
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2010/10/20/109110.html2010/10/20 15:39:00
c)，氮化镓(gan)，硅(si)及相关的化合物为基础，包括蓝，绿，紫外发光二极管(led)，近紫外激光，射频(rf)及微波器件，功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(sic)外延
http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55
六、led制造装备（封装设备）发展现状分析a)上、中游的外延生产及芯片制造设备行业： 全球有近200家公司和300多所大学以及研究机构从事氮化镓基led的材料生长、器件制作工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/3/16/143104.html2011/3/16 21:36:00
硅(sic)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)及微波器件,功率开关器件及适用于生产及科研的碳化硅(si
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165818.html2011/4/16 19:03:00
镓,氮化镓,磷化镓,和蓝宝石等,可用来制作led.在复合半导体上生长出光子层并转移到硅或相似的材料的支撑晶圆上,并且晶圆的背面是暴露出来的。现在复合半导体只有大到4英寸。这就限制了le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230116.html2011/7/18 23:52:00
值。 科锐的市场优势关键来源于公司在有氮化镓（gan）的碳化硅（sic）方面上独一的材料专长知识，来制造芯片及成套的器件。这些芯片及成套的器件可在很小的空间里用更大的功率，同时比
http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/3/1/34577.html2010/3/1 13:10:00
战传统封装制程，目前业界以半导体背景的台积电旗下封装厂采钰为代表，专攻晶圆级高功率led矽基封装技术，并锁定在led照明市场，由于矽基板导热效果佳，晶圆级封装可缩短原有制程，且大
http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230923.html2011/7/26 21:54:00
n(氮化铟镓)基片上研制出了第一只蓝色led，由此开启了gan基led灯研究和开发热潮，蓝光的出现使得白光led成为可能。 20世纪90年代后期，研制出通过蓝光激发yag荧光粉产生白
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282605.html2012/7/19 11:05:03
