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数(光通量、光色参数等)进行快速检测,同时,也同步采集led 的正向压降和功率等参数。由于这种方式在检测过程中,led 的结温几乎等同于室温,所以,测量结果的光效高,光色和电参数
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230132.html2011/7/19 0:00:00
长、亮度和工作台电压的指标;比如, 过去对波长要求是+2nm,而现在则要求为+1 nm,甚至在某些应用上,已提出+0.5 nm的要求。这样对于芯片厂就产生了巨大的压力,在芯片销售
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230127.html2011/7/18 23:59:00
、能耗低等优点被广泛地应用于指示、显示等领域。可靠性、稳定性及高出光率是led取代现有照明光源必须考虑的因素。封装工艺是影响led功能作用的主要因素之一,封装工艺关键工序有装架、压焊
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00
装的造价比高压钠灯高外,在铺设成本、耗电成本及寿命方面均大大优于高压钠灯。led路灯面临的主要技术问题为：输出功率及光通量、二次光学设计、散热设计和电源系统设计。输出功率及光通量的提
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230109.html2011/7/18 23:50:00
害到产品的正常工作。5.2.5产品在搬运期间遭受的自由跌落不会危害到产品的正常工作。5.2.6产品在大气压为86～106kpa范围内能可靠工作。kevsetpage=第4
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230110.html2011/7/18 23:50:00
以获得led的最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流,此外也可以测定led的最佳工作电功率。 图1 led伏安特性曲线 led电特性的测试一般利用相应的恒流恒压源供电下利用电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230107.html2011/7/18 23:49:00
胶、备胶工艺),然后用真空吸嘴将led芯片吸起安置在支架的反光碗中心处,并通过烧结将芯片的背电极与支架固结在一起(即固晶工艺)；通过压焊将电极引线引到led芯片上,完成产品内外引
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00
能避免灯阴极温度太低而造成的灯寿命下降。尽管这样,由于灯低气压放电灯的负阻特性,当荧光灯功率下调时,灯的管电压将明显升高,当灯管处于很小功率输出时,灯管电压的大幅上升将使系统不能正
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表的欧姆零点。2.为了不损坏被测发光二极体,测量前应计算 im ′值,若 im ′≥ 50ma ,需选择 r × 10 档。3.发光二极体本身尚有 1.5 ～ 2.5v 压降,因此上
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电性能。led的pn结电特性,决定了led在照明应用中区别于传统光源的电气特性,即单向非线性导电特性、低电压驱动以及对静电敏感等特点。目前主要的测量参数包括正向驱动电流、正向压降
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