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2面jis c 5321 ：1997 端子强度试验定义：a：焊接端子截面积 a≤8mm2 推力≥5N 时间：30秒 8mm2≤20mm2 推力≥10N 时间：10秒20mm2 推力
http://blog.alighting.cn/yjck168/archive/2011/7/7/228927.html2011/7/7 16:16:00
地连接。 工作原理简介 max16800的内部结构框图如图2所示。它由差动电流检测放大器(外部接电流检测电阻rseNse)、误差放大器、mosfet驱动器、调整管(N沟道功
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229863.html2011/7/17 22:45:00
后,再加上增加晶片面积就绝对可以一口气提?N亮度,因为当光从晶片内部向外散射时,晶片中这些改善的部分无法进行反射,所以在取光上会受到一点限制,根据计算,最佳发挥光效率的led晶片尺
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
器芯片。它的控制模式是在pfm基础上改进的pfm/pwm控制技术，是pfm与pwm有机结合的控制方式（不是pfm与pwm的切换），是以输入电压确定N开关管开启时间，输出电压与输入电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230148.html2011/7/19 0:10:00
]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gaN基led，p型电极和N型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近N型电极处电流密度很大，所以在正常工作条件下也存在金
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/zsoygs/archive/2011/8/30/234250.html2011/8/30 9:28:00
型指示灯或非全彩的字符显示器件应用。1.2 led的简明原理完全纯净的半导体称为本征半导体。如果在本征半导体分别扩散不同的杂质，就会各自形成p型半导体和N型半导体。此时将会在p型半
http://blog.alighting.cn/lrjflash/archive/2012/1/2/260774.html2012/1/2 16:39:57
、红外和可见光谱，从而形成一个实用的发光元件。目前可见光(380一 78 0N m)的led产量以90%的优势占主导地位。le d 以 体积小(最小仅几毫米)、寿命长(几万小时)
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
流(a) le——计算负荷矩时，始端到末端的有效距离(km) l——均匀布灯，线路始端到末端的有效距离(km) Nie——均匀布灯时，单相N只路灯，每只灯额定电流ie，两者之积
http://blog.alighting.cn/144336/archive/2012/6/20/279117.html2012/6/20 9:51:50
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