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ap technologies 成为fox group的分销商

p全部的led产品,其中包括350nm及360nm紫外GaN le

  https://www.alighting.cn/news/20070606/120127.htm2007/6/6 0:00:00

牛津仪器针对6英寸衬底设备首次推出hvpe设备

展望2009年,牛津仪器针对6英寸衬底设备首次推出hvpe设备。oipt的等离子设备能用来刻蚀蓝宝石衬底,并在GaN沉积之前帮助衬底产生图案化特征。一旦沉积完成,设备也能对蓝宝

  https://www.alighting.cn/news/20081229/120300.htm2008/12/29 0:00:00

攻击绿光区 日亚成功研制出515 nm激光二极管

日本led大厂日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的GaN板,配合制程与结构的改良,制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管,打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光

  https://www.alighting.cn/news/20090616/120385.htm2009/6/16 0:00:00

科锐led产品高价格成其发展障碍

科锐(cree)公司其市场优势来源于其独有的采用sic(碳化硅)衬底生长GaN(氮化镓)技术,科锐的led芯片产品在高端市场上具有很强的竞争力。其高技术水平(高发光效率)引领行

  https://www.alighting.cn/news/20100603/120646.htm2010/6/3 0:00:00

中村修二:inGaN是奇迹般材料 日媒诺奖报道有失偏颇

二,在2015年7月24日于东京举行的研讨会“GaN掀起能源革命”上发表演讲,说出了上面那句

  https://www.alighting.cn/news/20150729/131339.htm2015/7/29 9:31:37

sslchina2017&ifws2017即将开幕 七大开幕报告重磅来袭

半导体照明是一场成功的技术革命,是第三代半导体材料(GaN)产业化应用的突破口,已经在照明产业的变革中确立了主导地位。随着绿色、低碳、可持续发展的需求,全球半导体照明产业进入新一

  https://www.alighting.cn/news/20171025/153292.htm2017/10/25 10:30:13

韩国kaist研发用于f-vled的低成本转移方法

队开发了一种用于在塑料上制造数千个蓝色氮化镓(GaN)micro led(厚度2μm)阵列的一次性转移方

  https://www.alighting.cn/news/20180620/157271.htm2018/6/20 9:32:48

首届紫外led长治国际会议暨长治led产业发展峰会成功召开

以氮化镓(GaN)、碳化硅(sic)等为代表的第三代半导体材料具备高频、高效、耐高压、抗辐射能力强等优越性能,是支撑半导体照明、新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道交通、能源互联

  https://www.alighting.cn/news/20190531/162047.htm2019/5/31 11:41:40

晶科肖国伟:提供芯片级led照明整体解决方案

在接受阿拉丁照明新闻网记者专访时,晶科电子总裁肖国伟博士谈到,晶科电子展示的产品中,cob/fcob产品备受业界关注,特别是倒装陶瓷cob,即fcob产品。

  https://www.alighting.cn/news/2013619/n518252880.htm2013/6/19 10:07:14

提高oled发光效率的方法(图)

虽然最近几年有机发光二极管(orGaNiclightemissiondiode,oled)显示器已经商品化,不过oled显示器不论是发光效率、使用寿命,或是改用无晶硅大型面板

  https://www.alighting.cn/resource/200822/V14002.htm2008/2/2 11:20:53

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