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现，其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示， 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品，不论在散热与输出功率上均有竞争利基，目前也已少量供货，预期可望成
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267914.html2012/3/15 21:05:11
要蚀刻或移除所有有机物质或其他环氧基物质（如su-8光刻胶），我推荐一个设备，名字叫“r3t高速等离子蚀刻机”，型号stp 2020，stp1010。这是德国r3t的产品，熟悉蚀
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267907.html2012/3/15 21:04:49
于我们专事高热导金属基绝缘电子材料研发，精通半导体导热机理，所以我们可以提供大功率led封装散热技术全面的支持散热是led灯要重点解决的问题，而在这之前是一个导热过程更是一个关
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267906.html2012/3/15 21:04:46
个具有战略性潜能的幼稚产业。 为摆脱核心技术受制于人的局面，中国启动了“核高基”战略。国家《电子信息产业调整和振兴规划》也明确指出：支持集成电路重大项目建设与科技重大专项攻关相结
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267901.html2012/3/15 21:04:34
这个重新设计的度假酒店及水疗突出体现了自然豪华的整体设计美学，因为它忽略了基拉尼的雄伟湖莱因。 the magnificent espa at hotel europe i
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267882.html2012/3/15 21:03:22
艺水平的不断发展和完善，GaN基器件的发展十分迅速，目前已成为宽带隙半导体材料中一颗十分耀眼的新星。首 先 是 在蓝、绿光发光器件领域取得重大突破。1989年，ni山is公司每年
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
本文的主要研究内容涉及图形化衬底对GaN基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的GaN图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了GaN
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在led芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
瓷基光源产
https://www.alighting.cn/news/20120312/114279.htm2012/3/12 13:19:25
