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led生产设备将于2013年底明显增长

%,催生出了对于蚀刻pss晶圆的等离子设备的需求。现在,已经投入使用的用于制造pss的干法刻蚀设备约有280台,其中有200台是在2011年或2012年安装的。2012年估计也将维

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/29/305996.html2012/12/29 8:50:27

led生产设备将于2013年底明显增长

%,催生出了对于蚀刻pss晶圆的等离子设备的需求。现在,已经投入使用的用于制造pss的干法刻蚀设备约有280台,其中有200台是在2011年或2012年安装的。2012年估计也将维

  http://blog.alighting.cn/177777/archive/2013/4/21/315007.html2013/4/21 11:48:39

韩国led产业分析

似我国国科会,负责韩国科技事务,是大型研究机构与学术单位重要研究经费来源。目前科技部每年约有60~70件GaN相关研究计划,每年经费约2,000万至1亿韩元,比产业资源部要少。

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126727.html2011/1/9 19:50:00

什么是白光led?

对于普通照明而言,人们需要的主要是白色的光源。1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。GaN芯片发蓝光(λp=465n

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/25/272876.html2012/4/25 11:55:05

中村开发高亮度蓝光led全过程(三)

GaN发光二极管虽然发出了光,但光线相当暗。中村下决心从pn结型结构改为双异质(double hetero)结构。之后开发速度迅速加快。开发也一帆风顺,在双异质结构中掺入杂质形

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/4/14/40244.html2010/4/14 22:56:00

led芯片制造流程

随着技术的发展,led的效率有了非常大的进步。在不久的未来led会代替现有的照明灯泡。近几年人们制造led芯片过程中首先在衬底上制作氮化鎵(GaN)基的外延片(外延片),外延片所

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00

led材料发展时间表

1991年,日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光led,峰值波长430nm,光谱半宽55rim,其光输出功率为当时市场上sicled的10倍,外量子效率约为0.18%。  1995

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22

[转载]台积电进军led 采钰打头阵

高工led新闻中心发布时间:2011-01-15 11:17:59 设置字体:大中小   台积电(2330)子公司采钰科技专攻晶圆级高功率led矽基封装技术,2010年产

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230921.html2011/7/26 21:52:00

影响led品质的因素

标一致的晶圆是从高品质的led制造材料做起的,进而可以制造出优良的芯片。在决定led所有性能指标的条件中,晶圆生产工艺所采用的化学材料是相当重要的因素。一片2英寸晶圆可以切割

  http://blog.alighting.cn/gtekled/archive/2012/9/28/291666.html2012/9/28 14:54:25

led半导体照明外延及芯片技术的最新进展

自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来,基于GaN基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止,商品化白

  https://www.alighting.cn/resource/2013/5/29/16025_26.htm2013/5/29 16:00:25

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