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采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
采用X光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
积(cvd)和化学液相沉积(cld)进行了分析。综述了几种新型光学薄膜(金刚石薄膜及类金刚石薄膜、软X射线多层膜、太阳能选择性吸收膜、高强度激光膜)的研究进展以及光学薄膜的应用情
https://www.alighting.cn/resource/20130319/125859.htm2013/3/19 10:51:49
准：gb/t 10587-2006、qb/t 3826-1999、qb/t 3827-1999盐雾试验箱规格及技术参数：型号：Xt-y90试验室尺寸 mm:900X600X500外箱尺
http://blog.alighting.cn/xitie17/archive/2010/3/13/35873.html2010/3/13 18:00:00
t is also a double zipper and detachable id tag. in terms of function, measuring 24.8 cm
http://blog.alighting.cn/xixi11/archive/2010/3/17/37318.html2010/3/17 9:56:00
http://blog.alighting.cn/xitie17/archive/2010/3/17/37378.html2010/3/17 14:18:00
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射(hrXrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
采用无催化脉冲激光沉积(pld)方法,在inp(100)衬底上生长纳米zno柱状结构。采用扫描电子显微镜(sem)、X射线衍射(Xrd)以及光致发光(pl)谱等表征手段对zno纳
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127005.htm2011/10/18 14:57:08
利用X射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c sic进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c sic外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积lp-mocvd设备,在(100)面gasb单晶衬底上外延生长了inassb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和扫描电镜、电子探针能谱仪等对材
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
