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联盟成立高端“智囊团”助力产业可持续发展

2010年1月19日下午,北京友谊宾馆8号楼的第二会议室里热闹非凡,30多位来自全国各地的科学界、材料界、半导体照明领域以及金融和政策领域的专家齐聚一堂,共同见证了“国家半导体照

  https://www.alighting.cn/news/20100120/102939.htm2010/1/20 0:00:00

veeco推出用于生产高亮度led的GaN mocvd设备turbodisc® k465i™

veeco推出turbodisc? k465i? ,一款用于生产高亮度led(hb led)的氮化镓(GaN) 金属有机化学气相沉淀(mocvd)设备,日前经过led产业

  https://www.alighting.cn/news/20100120/119367.htm2010/1/20 0:00:00

[原创]不断变革生产 持续追求卓越

材料库存,控制多余的生产,加快周转速度,缩短生产周期,满足客户需求,解决供不上货的困窘局面,更好更快速地适应市场。遵循的原则有4项:产品最优、损耗最少、生产工序平衡和生产效率最高原

  http://blog.alighting.cn/123677/archive/2010/1/19/25622.html2010/1/19 11:38:00

[光源设计]白光led的开发设计

1998年发白光的led开发成功。这种led是将GaN芯片和钇铝石榴石(yag)封装在一起做成。

  https://www.alighting.cn/news/2010119/V22621.htm2010/1/19 9:09:36

路灯照明工程中led灯具的应用前景分析

led(半导体发光二极管)照明灯具被誉为21世纪的绿色照明产品。它不仅具有寿命长、启动时间短、结构牢固、节能、发光体接近点光源等特点,而且作为薄型灯具,材料选择范围大,没有紫外辐

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1067.htm2010/1/18 15:38:09

功率型led芯片热超声倒装技术

结合功率型GaN基蓝光led芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将led芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55

半导体照明发光二极管的芯片制造技术及相关物理问题

以化合物半导体材料为发光元件的半导体固态照明正引发人类照明史上的又一次伟大革命.目前,局限半导体照明广泛应用的主要技术瓶颈有:出光效率(或外量子效率),单管最大可发光通量(或最大

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53

[原创]2008年我国工程机械市场旺季或将推迟

 从挖机的制造成本来看,至少在未来的3到6个月内,我国工程机械行业成本上涨压力将较为显著:(1)铁矿石涨价推动的钢材成本上涨;(2)可能的煤电联动及差别电价;(3)非钢铁材料价格可

  http://blog.alighting.cn/huiyuninfo/archive/2010/1/18/25562.html2010/1/18 11:40:00

GaN基功率型led芯片散热性能的测试与分析

层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊led芯片散热能力的主要因素;而对于正装led芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

GaN基led外延材料缺陷对其器件可靠性造成的影响

采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN2led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN2led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27

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