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led芯片倒装工艺原理以及发展趋势(下)

正装结构和垂直结构的芯片是GaN与荧光粉和硅胶接触,而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。GaN的折射率约为2.4,蓝宝石折射率为1.8,荧光粉折射率为1.

  https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48

华灿光电成功研制新型蓝绿光led芯片

武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术,通过优化结构设计,优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺,开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外

  https://www.alighting.cn/news/2007522/V8003.htm2007/5/22 13:56:23

中村修二上海报告近期led研究工作及成果

中村修二教授的报告题目名为“recent advances in nonpolar and semipolar GaN for blue and green lase

  https://www.alighting.cn/news/20121226/n474247336.htm2012/12/26 9:46:47

紫光led晶片将成未来led照明研究重点

上世纪末,半导体照明开始出现并快速发展,其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备,而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。就GaN基材料

  https://www.alighting.cn/news/2014729/n156664358.htm2014/7/29 10:18:51

大陆pk日、美、德 led芯片核心技术落后20年

GaN和sic对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进,特别是外延厚度;而后者,目前是一种昂贵的材料,不适合在消费类市场使用。更先进的sic和GaN,中国是完

  https://www.alighting.cn/news/201396/n370855917.htm2013/9/6 10:42:55

湿法表面粗化技术初探(图)

本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理,比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响,并对最终器件光电性能进行测量,分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片,亮度增加可

  https://www.alighting.cn/news/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10

led封装对光通量的强化原理

同,目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN,前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光,后者GaN用来产生绿、翠绿、蓝光,以及用inGaN产生近紫外

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00

uv卤素灯 我不美丽我强大(组图)

uv卤素灯由高纯度石英管材制造而成,石英管材内充入了含有汞、钴、的碘化物以及一些稀有金属碘化物,又称

  https://www.alighting.cn/case/2007924/V2646.htm2007/9/24 15:32:27

晶电否认背光遭三星抽单 全年高峰提前出现

李秉杰指出,今年led市场复苏,晶电本身机台已无法满足客户,因而有了并购璨圆的需求。依照过去广经验,至少需半年到一年的时间磨合,派员进驻、改善制程。

  https://www.alighting.cn/news/201492/n935965381.htm2014/9/2 9:55:24

台湾华上光电公司扩大led芯片产量

据台湾华上光电公司总裁pj wang表示,公司计划扩大它的铝铟磷led,超高亮度红/黄ms led芯片和蓝光led芯片的生产量。

  https://www.alighting.cn/news/200726/V461.htm2007/2/6 15:42:42

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