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据台湾led芯片制造商璨圆光电(formosa epitaxy)的消息称,该公司计划发行1.5亿股新股来筹集额外资金,约为64亿元新台币(约合1.6260亿美元),用以扩大其芯
https://www.alighting.cn/news/20100702/116950.htm2010/7/2 0:00:00
半导体照明应用前景看俏,尤其大陆市场需求成长快速,使得大陆政府积极释出资源支持及资金补贴政策,吸引台湾led芯片厂商为求在新兴市场及早卡位,近来纷纷加速西进登陆投资建设led芯片
https://www.alighting.cn/news/20100129/120157.htm2010/1/29 0:00:00
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的gan基led芯片,亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对gan材料表面进行处理,对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片,对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究,制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
中国首家第五代大面积非晶硅薄膜电池已在强生光电投入批量生产。强生光电非晶硅薄膜电池以其巨大的成本优势,使太阳能发电在近三年内接近火电厂成本成为可能。
https://www.alighting.cn/news/2009417/V19434.htm2009/4/17 10:01:10
异,可应用于高亮度薄膜led的制造
https://www.alighting.cn/resource/20111114/126897.htm2011/11/14 12:49:35
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
2008年3月28日,sharp corp.宣布,将在日本大阪市中央区的淀屋桥再开发大楼的璧面角部及回廊部分配置内建led的薄膜太阳电池「lumiwall(白天发电夜晚发光的玻
https://www.alighting.cn/news/20080401/101400.htm2008/4/1 0:00:00
晶元光电持续热推的型号es-sasfpn42d红外芯片产品,曾“创下全世界发光效率最高的实验室纪录”而引发关注,最近我们拿到20个该型号样品,为一探究竟,我们将样品纳入这一期的测
https://www.alighting.cn/pingce/20161130/146468.htm2016/11/30 19:12:35
代高亮led峰会”并发表演讲,介绍了晶能光电最近实现量产的硅衬底大功率led芯片的最新成果,引起业界高度的关
https://www.alighting.cn/news/2012719/n192741430.htm2012/7/19 11:40:22