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10月15日下午，新世纪led论坛举行首场技术工程师沙龙。沙龙上，“cob光源是否卷土重来”成为各大工程师探讨的焦点。当前，cob封装在技术发展方面主要面临着哪些问题?还有哪些问题
https://www.alighting.cn/news/20111021/90258.htm2011/10/21 15:11:19
scpm公司正在将gan基板作为可实现高效率led芯片的革新材料而推进开发。并进一步设想在无线通信用半导体元件及智能电网等用功率半导体元件等领域应用gan基板。
https://www.alighting.cn/news/20111021/115140.htm2011/10/21 10:31:09
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3n4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246934.html2011/10/20 17:48:06
d照明散热技术大功率led照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节：1、 晶片pn结到外延层； 2、 外延层到封装基板； 3、 封装基板到外部冷却装置再到空气。半导体元器件通常对
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246933.html2011/10/20 17:48:03
在眼下国内光鲜夺目的“蓝宝石”投资项目背后，却是市场的惨淡。不得不说，的是，这个曾经卖到断货而且要加价的才能排队拿货的三氧化二铝，如今也逃不过跌价的命运。
https://www.alighting.cn/news/20111020/89959.htm2011/10/20 10:24:49
既然散热瓶颈是铝基板上的绝缘层，那么，对于热电分离的led来说，就可以使用如下新的加工工艺处理铝基板，大大增强led照明灯具散热能力如图2所示：在铝基板的原led底座下的位置，钻
http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/10/19/245165.html2011/10/19 9:38:32
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
到各种不同功率和电压的led。可以说最早是美国的普瑞(bridgelux)公司就已经推出了这种集成led了。也就是把很多小功率led在基板上就串并联起来，以得到一颗大功率led。他
http://blog.alighting.cn/binxuegandan/archive/2011/10/14/244609.html2011/10/14 8:39:01
