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佳世达将参与隆达私募普通股 扩大lED布局

达方面初期供应友达内部lED芯片的数量,约为50%,友达集团内自制似乎已成趋

  https://www.alighting.cn/news/20100119/118529.htm2010/1/19 0:00:00

基于mems的lED芯片封装的光学特性分析

本文提出了一种基于mems的lED芯片封装技术,利用体硅工艺在硅基上形成的凹槽作为封装lED芯片的反射腔。分析了反射腔对lED的发光强度和光束性能的影响,分析结果表明该反射腔可

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1065.htm2010/1/18 14:49:11

功率型lED芯片热超声倒装技术

结合功率型gan基蓝光lED芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将lED芯片焊接到载体硅片上。结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1064.htm2010/1/18 14:26:55

半导体照明发光二极管的芯片制造技术及相关物理问题

可工作功率),单位光通量的成本和发光二极管可正常使用寿命.文章综述和分析了与芯片发光效率(或外量子效率)和单芯最大可发光通量(或最大可工作功率)相关的制造技术和相关物理问题。欢迎下

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1063.htm2010/1/18 14:18:53

有关lED芯片脏污与几种芯片工艺现象的辩识

文章介绍了几种常见的lED芯片表面脏污类别以及预防对策,包括芯片制造商生产过程中产生和封装厂生产中带入的脏污,另外列举了几种与脏污容易混淆的芯片工艺异常现象。欢迎下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1062.htm2010/1/18 14:08:40

gan基功率型lED芯片散热性能的测试与分析

与正装lED相比,倒装焊芯片技术在功率型lED的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型lED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

gan基lED外延材料缺陷对其器件可靠性造成的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan2lED芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan2lED器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1058.htm2010/1/18 11:18:27

中国lED道路照明高阶技术首次引进发达国家

日前,深圳市阳光富源科技有限公司宣布,将藉由技术入股的方式与北美新能源企业签下合作,让中国lED道路照明高端技术首次进入发达国家第一单。

  https://www.alighting.cn/news/20100118/107350.htm2010/1/18 0:00:00

[仿真详解]照明lED的阵列研究与仿真

lED是一种寿命长、功耗低、无辐射的节能环保型光源, 大多数专家预测21世纪将是以固体发光材料为核心的,即以lED为代表的新型光源、绿色照明的世纪,因此lED光源具有光明的前景。

  https://www.alighting.cn/news/2010115/V22595.htm2010/1/15 11:07:55

黎明前的lED照明产业 欣喜与观望并存

在国内lED照明产业狂飙突进的过程中,一方面让人们看到了这个行业美好的发展前景,另一方面也让人们不得不忧思于行业中的诸多问题。

  https://www.alighting.cn/news/2010115/V22587.htm2010/1/15 9:37:34

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