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便携式应用的LED驱动解决方案

硅工艺,这一般会增加器件的成本。其次,升压转换器的效率也随输出电压的增加而受到影响。表1所示为让4个白光LED产生相同的光量,三种不同拓扑所需功率之比较。如果对效率的要求比较高,串

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229957.html2011/7/17 23:35:00

LED的寿命要如何预测

现在LED已经开始广泛地用于室外和室内的照明之中,尤其是大功率的LED路灯,其功率大、发热高、工作时间长,寿命问题就十分突出。过去认为LED寿命一定就是10万小时的神话似乎彻底破

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143432.html2011/3/17 21:55:00

LED的寿命要如何预测

现在LED已经开始广泛地用于室外和室内的照明之中,尤其是大功率的LED路灯,其功率大、发热高、工作时间长,寿命问题就十分突出。过去认为LED寿命一定就是10万小时的神话似乎彻底破

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261337.html2012/1/8 20:19:24

LED驱动特性

以提供一个产生恒定电流的简单方法。该稳压器的恒定输出电压通过回馈电阻来产生恒定电流。电源参考电压和电流采样电阻决定了LED的电流。线性稳压器通常用于驱动低功率LED,比如像pda这

  http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/5/30/277114.html2012/5/30 12:03:15

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

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