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led发展编年史

管。1993年,在日本日亚化工(nichia)工作的中村修二成功把氮渗入,造出了于宽禁带半导体材料氮化(gan)和铟氮化(ingan)、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23

led发展编年史

管。1993年,在日本日亚化工(nichia)工作的中村修二成功把氮渗入,造出了于宽禁带半导体材料氮化(gan)和铟氮化(ingan)、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01

了解一些大功率led芯片制造的东西

流的大功率led生产。 lumileds公司,美国在2001年开发出了不同的倒装芯片的电源的algainn(fcled)结构,制造过程:第一p型氮化外延膜沉积在顶部的层厚度超

  http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48

[转载]台积电赴日行销led事业

高功率led封装技术,再整合精材封装板。此外,台积电旗下创投vtaf公司自2008年投资美国led大厂普瑞光电(bridgelux),抢食磊晶市场千亿元庞大商机。  

  http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230922.html2011/7/26 21:52:00

淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型gan的研究

采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表面台

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02

中微半导体将发布mocvd 首次进入led照明市场

备可以实现复杂的氮化、铟氮、铝氮超薄层结构的大批量生产,这些超薄层结构对于高亮度led是必需的。中微的mocvd设备不仅具有精准的参数控制、全自动化处理和独特的紧凑设计等特

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313061.html2013/4/1 11:17:40

led与我国照明电器工业

点。目前,国外的研究方向主要是氮化(gan)led的大功率、高亮度、低成本。#next#   国内约20余家研究机构和企业正在进行gan蓝绿光led与白光led的研究和开发,但目

  http://blog.alighting.cn/1322/archive/2007/11/26/8135.html2007/11/26 19:28:00

三种led衬底材料的比较

、si、zno衬底还处于研发阶段,离产业化还有一段距离。氮化:用于gan生长的最理想衬底是gan单晶材料,可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230089.html2011/7/18 23:27:00

盘点led照明领域五大专家-新世纪led网

件、w77%rb led驱动电路与电源等方面的研究,发表多篇学术论文,获得研究成果,如氮化蓝、绿色led器件制备的关键技术研究,白色大尺寸led研究、新型半导体节能路灯、超

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/11/8/251040.html2011/11/8 21:13:43

盘点led照明领域五大专家

、w77%rb led驱动电路与电源等方面的研究,发表多篇学术论文,获得研究成果,如氮化蓝、绿色led器件制备的关键技术研究,白色大尺寸led研究、新型半导体节能路灯、超高亮

  http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/20/279358.html2012/6/20 14:54:44

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