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虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的gan，所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v，电流为350ma的情况下该芯片功耗为61
https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52
普瑞公司已经大大提高了硅衬底led芯片的流明/瓦，光色和显色指数等性能，而这些性能的高低直接决定了led芯片质量的好坏。在今年三月，普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓led发展战略
https://www.alighting.cn/news/20110810/115411.htm2011/8/10 9:31:44
据悉，同方计画投资8亿元，用于建设45条发光效率超过60lm/w的led芯片生产线。同方计画利用这些生产线量产高亮度蓝、绿光led芯片，预计年产量在36亿颗左右。预计2008年完
https://www.alighting.cn/news/20071117/116367.htm2007/11/17 0:00:00
led上游芯片供不应求，外延厂2009年12月出现淡季度不淡现象。三大led芯片厂晶电（2448）、璨圆（3061）与泰谷（3339）2009年第四季度毛利率同步走高，晶电、璨
https://www.alighting.cn/news/20100106/118179.htm2010/1/6 0:00:00
晶电高层介绍，新式样芯片效率更好，更大颗，单位面积的售价不变，可使led tv背光源使用的芯片减少约15%，封装的成本下降，背光模块成本将下降约40%，led tv售价也会降
https://www.alighting.cn/news/20100915/120938.htm2010/9/15 0:00:00
中的缺陷，使得led芯片的电流密度比传统芯片高5到10
https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20
n silicon) led 芯片，采用350ma电流，电压小于 3.1v，仅1.1mm 大小的led芯片，亮度可达 614m
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
德国欧司朗公司(osram)光电半导体研发人员地制造出高性能蓝白光led 原型硅芯片，氮化镓发光材料层被置于直径为150毫米硅晶圆基板上。这是首次成功利用硅晶圆基板取代蓝宝石基
https://www.alighting.cn/pingce/20120209/122671.htm2012/2/9 10:17:18
据悉，此次推出的“芯片级led照明整体解决方案”，能在led芯片制成工艺中，通过新型晶片级工艺，完成一部分传统封装工艺或者节省传统封装工艺环节，使led最终封装体积缩小，性能更
https://www.alighting.cn/news/2013311/n143149545.htm2013/3/11 15:28:25
led通常按照主波长、发光强度、光通亮、色温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。led的测试与分选是led生产过程中的一项必要工序。目前，它是许多led芯片和封
https://www.alighting.cn/resource/20131122/125097.htm2013/11/22 14:15:02
