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容。4应用控制4.1led驱动控制xlt604可用来控制包括隔离／非隔离、连续／非连续等多种类型的转换器。当gate端输出高电平时，电感或变压器原边电感的储能将直接传给led串，而
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230162.html2011/7/19 0:19:00
“power top led”,之后一些公司推出多种功率led的封装结构。这些结构的功率led比原支架式封装的led输入功率提高几倍,热阻降为过去的几分之一。w级功率led是未来照
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230090.html2011/7/18 23:28:00
使单片机into产生中断,单片机将p1.0～p1.3的信息与原设定信息进行对比之后,从而执行相应的操作。图3无线电遥控发射部分电路图3 ds3231实时时钟芯片ds3231是一款低成
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230086.html2011/7/18 23:26:00
isa(国际半导体照明联盟)董事会成员、澳大利亚悉尼大学荣誉教授、原国际照明委员会副主席warren julian先生，主要致力于照明研究与照明设计及其对人的影响，因其对照明研
https://www.alighting.cn/news/2011718/n006633182.htm2011/7/18 8:30:13
中一种plcc-4 结构封装形式,其功率约200~300mw, 这些结构的热阻一般为75~125 /w。 总之这些结构的功率led比原支架式封装的led 输入功率提高几倍,热阻下降几
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
n外延片层悬空于沟槽上方,是在原gan外延片层侧壁的横向外延片生长。采用这种方法,不需要掩膜,因此 避免了gan和嶷膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led外延片材料它为发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan晶圆层的生长,此时生长的gan晶圆层悬空于沟槽上方,是在原gan晶圆层侧壁的横向晶圆生长。采用这种方法,不需要掩膜,因
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
布电容限定值,在变压器的线圈结构中实现,而趋肤效应影响则作为选择导线规格的条件之一。变压器的漏感主要为励磁电感,、原边漏感、副边漏感：,如图3.14 所示。其中励磁电感lm 很大,并
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00
发 光 原 理led作为第四代固体照明光源,有着极其广泛的应用前景.一.发光原理发光二极管是由ⅲ-ⅳ族化合物.如gaas、gap、gaasp/gaalas、ingaalp、gan
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229893.html2011/7/17 23:02:00
4年,原电子工业部颁布了电子行业标准sj/t10541-94《抗干扰型交流稳压电源通用技术条件》和sj/t10542-94《抗干扰型交流稳压电源测试方法》,该标准由中国电源学会交
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