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大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37
流的功率型led芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09
指在led负载端和220v输入端有直接连接，因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离，通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274792.html2012/5/16 21:32:04
粉 四、蓝led+znse单结晶基板 目前手机、数字相机、pda等背光源所使用之白光led采用蓝光单晶粒加yag萤光而成。随着手机闪光灯、大中尺寸（nb、lcd-tv等）显示屏光
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274781.html2012/5/16 21:31:22
体的制作技术，应该可以克服上述困扰。如上所述提高施加电力的同时，必需设法减少热阻抗、改善散热问题，具体内容分别是：降低芯片到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路基板的热阻抗、提高芯片的散
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274780.html2012/5/16 21:31:19
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274779.html2012/5/16 21:31:14
由于led技术的进步，led应用亦日渐多元化，由早期的电源指示灯，进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光，其余
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274774.html2012/5/16 21:31:02
矩 形区域，这是打线的区域。此外，因为submount是一个光滑的硅表面，其上是铝金属层，因此能将一般损失掉的光度有效的反射出去。图一中的覆盖了大部 分submount的蓝色区域，即
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13
前最新的製程是用混合铝(al)、钙(ca) 、銦(in)和氮(n)四种元素的algainn 的四元素材料製造的四元素led，可以涵盖所有可见光以及部份紫外光的光谱范围。发光强度：发
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
率指标控制必须非常严格，这是封装业的重中之重。以往，制约led封装技术发展的因素被认为主要存在于以下三个方面：一是关键的封装原材料，如基板材料、有机胶(硅胶、环氧树脂)、荧光粉等性
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274712.html2012/5/16 21:27:39
