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大连美明led外延片项目获国家科学技术进步二等奖

2012年2月14日,2011年度国家科学技术奖励大会在北京隆重举行,大连美明外延片科技有限公司、中国科学院物理研究所、清华大学和大连路美芯片科技有限公司联合研发的《GaN蓝绿

  https://www.alighting.cn/news/20120216/99936.htm2012/2/16 10:58:26

2012年中国led照明产业走向

2年外延芯片价格压力仍将持续。  2011年,国内GaN芯片产能增长达到12000kk/月,但产能利用不足50%,全年产量仅为710亿颗,但国产化率达到70%以上。同时,国内芯片已

  http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/2/15/264169.html2012/2/15 16:28:24

南昌大学led照明项目获国家“863计划”重点支持

近日,科技部公布“十二五”国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域“高效半导体照明关键材料技术研发”重大项目立项名单,其中南昌大学申报的“大尺寸si衬底GaNled外

  https://www.alighting.cn/news/2012214/n966637529.htm2012/2/14 10:21:25

江西led照明专案获政府资助5000万元

2月9日,江西省科技厅透露,江西省“大尺寸si衬底GaNled外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元人民币,居全国14项课

  https://www.alighting.cn/news/20120210/99824.htm2012/2/10 9:38:19

江西led照明项目获国家资助5000多万元

2月9日,记者从江西省科技厅获悉,江西省“大尺寸si衬底GaNled外延生长、芯片制备及封装技术” 课题获得“十二五”国家高技术研究发展计划资助5000多万元,居全国14项课

  https://www.alighting.cn/news/2012210/n117137431.htm2012/2/10 8:55:09

sic制功率元件前景备受期待

滨田指出,因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限,所以对sic充满期待。滨田提到了sic制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例,如果使用sic制功率元件,与使

  https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31

英plessey公司获剑桥大学矽氮化镓led的知识产权

plessey在英国plymouth拥有一家6英寸晶圆厂,并在近期收购了剑桥大学的一家衍生公司camGaN。通过这项交易,plessey获得了camGaN公司与矽氮化

  https://www.alighting.cn/news/20120209/99826.htm2012/2/9 11:23:28

国内铝板发展的现状与国际先进水平的差距分析

板是一种具有良好散热功能的金属覆铜板,它由独特的三层结构所组成,分别是电路层(铜箔)、绝缘层和金属层。铝板工作原理:功率器件表面贴装在电路层,器件运行时所产生的热量通过绝

  https://www.alighting.cn/resource/20120208/126744.htm2012/2/8 10:53:16

预测2012年中国led照明产业走向

年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年,大陆GaN芯片产能增长达到12000kk/月,但产能利用不足50%,全年产量仅为710亿颗,但国产化率达到70%以上。同时,大陆芯片已经通

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/6/263674.html2012/2/6 15:40:31

led光引擎——室内led灯具应用的助推器

2010 年6 月iec tc34 在芬兰赫尔辛召开了led 研讨会,在讨论很多照明的技术问题的同时,led 灯具和led 灯议题成为此次会议专家谈论的焦点。该会议对灯具和

  https://www.alighting.cn/resource/2012/2/6/12207_57.htm2012/2/6 12:20:07

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