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oled的关键零组件及材料

光物质的缺点是制作过程中难分离。其它性能比较优越的发光薄膜材料有perylene , aromaticdiamine , tad, tap,t az,tpa, tpb, tp

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00

下一代产品所需的过流和过压电路保护

丝   设计人员现在可选择几种技术以提供过流保护,这些技术包括传统的熔丝管(玻璃和陶瓷型)、薄膜保险丝和基于聚合物的正温度系数(ptc)器件。   表面粘着型保险丝   薄膜保险

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

备。2.氢化物汽相外延片(hvpe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜,可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶ga

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00

led散热基板介绍及技术发展趋势

、以及 薄膜陶瓷基板三种,在传统高功率led元件,多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板,再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。  如前言所述,此金线连结限制了热量沿电

  http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179994.html2011/5/20 22:35:00

led散热基板介绍及技术发展趋势

、以及 薄膜陶瓷基板三种,在传统高功率led元件,多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板,再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。  如前言所述,此金线连结限制了热量沿电

  http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179997.html2011/5/20 22:41:00

led晶圆技术的未来发展趋势

汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvp

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

探讨照明用led封装如何创新

前所见到的还是将荧光粉浆直接涂敷在芯片上面,同一块模组的荧光粉还是较一致,但对大批量生产就可能会出现不同的模组用眼睛看出色差来,较好的办法是使用led荧光粉薄膜或膜片,薄膜和膜片可

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233119.html2011/8/20 0:05:00

led散热基板介绍及技术发展趋势

、以及 薄膜陶瓷基板三种,在传统高功率led元件,多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板,再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。  如前言所述,此金线连结限制了热量沿电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/11/11/251514.html2011/11/11 17:22:33

led散热基板介绍及技术发展趋势

、以及 薄膜陶瓷基板三种,在传统高功率led元件,多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板,再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。  如前言所述,此金线连结限制了热量沿电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/11/11/251517.html2011/11/11 17:22:42

led散热基板介绍及技术发展趋势

、以及 薄膜陶瓷基板三种,在传统高功率led元件,多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板,再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。  如前言所述,此金线连结限制了热量沿电

  http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/11/15/253283.html2011/11/15 17:22:56

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