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况，led照明行业应该在现有的技术根底上中止技术提升，加大研发力度。led芯片方面继续投入，把芯片的出光效率往前推，包括在资料和整个构造上的优化上，使得芯片的亮度进一步提升;经过更
http://blog.alighting.cn/elite3c/archive/2014/7/9/353921.html2014/7/9 17:09:43
、led电学特性1.1i-v特性表征led芯片pn结制备性能主要参数。led的i-v特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。如左图：(
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/31/9242.html2008/10/31 17:45:00
合一种昂贵的薄膜晶体管（tft）才能实现。被动式矩阵（pm ）显示器是由更便宜的外部芯片所驱动，但一向受限于更小的屏幕尺寸。tma 是一种可以被包含驱动器芯片，把主动式矩阵功能带到被
http://blog.alighting.cn/leddeng336/archive/2009/12/25/22282.html2009/12/25 16:54:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120860.html2010/12/14 21:44:00
细介绍。 1、led电学特性 1.1 i-v特性 表征led芯片pn结制备性能主要参数。led的i-v特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233064.html2011/8/19 23:50:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258532.html2011/12/19 10:58:35
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