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0nm的niau层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀p型层，露出多量子阱n型有源区；第三步，沉积、刻蚀形成n型欧姆接触区。芯片尺寸为1mmxlmm，p型欧姆接触区为正方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
备的主要区别在于：应用程序对字符设备的每一个i／o操作，都会直接传递给系统内核对应的驱动程序；而应用程序对块设备的操作，要经过系统的缓冲区管理，间接传递给驱动程序处理。在此，oled属
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134159.html2011/2/20 23:11:00
n 活性区产生的光能够传播出去的临界角约为 23° 。这大大限制了 gan 基发光二极管的外量子效率 [1] 。很多人在提高 gan 基发光二极管的出光效率方面都做了很多工作，方法也
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
时， sr2si5n8 :xeu 的发射光谱和激发光谱（右上）（ hintzen 文献） sr2si5n8 :eu 的激发光谱位于长波紫外至绿区（ 300-560nm ）。39
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00
式的反射腔，由于抛光精度不足或金属镀层的氧化，反射效果较差，这样导致很多光线在射到反射区后被吸收，无法按预期的目标反射至出光面，从而导致最终封装后的取光效率偏低。 我们经过多
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
、编码器、发射器、串行通信接口和ups供电系统组成。 单片机的作用是将pc机传来的图像点阵或自身eprom中的图像点阵暂存在发射缓冲区ram中，再根据键盘的命令串行发送至编码
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134135.html2011/2/20 23:01:00
机覆盖区域之外，从而降低led光输出的利用率。相反，一个具有更小光照角度的闪光灯可能导致拍摄的照片边角出现暗区。 现在市场上供应的大多数用于相机闪光灯的led组件都具有很宽的照
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134133.html2011/2/20 23:00:00
少系统不断查询串口接收标志位的系统消耗。单片机将接收的串口数据以两个字节为单位逐一写入内置的闪存中。单片机内部的2kb sram作为缓存区，每当单片机要向fpga中写一屏新的数据时，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
基led中也存在金属的电迁移的问题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，n区通过铝导电反光层与每组led的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。smd电容c1，c2，c3和二极管d1设计在外围区
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