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o semiconductors gmb实验结果证实，上述结构的led芯片到焊接点的热阻抗可以降低9k/W，大约是传统led的1/6左右，封装后的led施加2W的电力时，led芯片的接合温度比焊接点高18
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126777.html2011/1/9 21:16:00
约是传统 led 的 1/6 左右，封装后的 led 施加 2W 的电力时， led 芯片的接合温度比焊接点高 18k ，即使印刷电路板温度上升到 500c ，接合温度顶多只
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230477.html2011/7/20 23:09:00
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/17/232652.html2011/8/17 22:54:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232655.html2011/8/18 1:14:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258599.html2011/12/19 11:02:15
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261468.html2012/1/8 21:39:16
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261469.html2012/1/8 21:39:20
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262640.html2012/1/29 0:35:07
过去led业者为了获得充分的白光led光束，曾经开发大尺寸led芯片试图藉此方式达到预期目标。不过，实际上白光led的施加电力持续超过1W以上时光束反而会下降，发光效率相对降低2
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268592.html2012/3/17 13:34:50
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271743.html2012/4/10 23:30:37
