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led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

探讨照明用led封装如何创新

装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装,在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片,内部的联线是混联型式,即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258501.html2011/12/19 10:56:42

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而gan(氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258572.html2011/12/19 11:01:04

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258649.html2011/12/19 11:10:56

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258864.html2011/12/20 15:57:41

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而gan(氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02

探讨照明用led封装如何创新

装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装,在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片,内部的联线是混联型式,即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261564.html2012/1/8 21:50:56

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32

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