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未来5年led衬底将成氮化衬底的天下

随着氮化的规模量产和价格的下降,以及led外延技术的不断发展,当将芯片电流密度提高到5~10倍时,氮化在led上运用的优势会比蓝宝石明显很多,这是大家看好的未来的一个发展方

  https://www.alighting.cn/news/20120514/89284.htm2012/5/14 10:29:49

led上游晶粒厂积极增资扩产

led上游晶粒厂晶电(2448)、璨圆(3061)、新世纪(3383)、广(8199)受惠于背光与照明需求的带动,月营收皆呈现同步成长态势,照明市场的提前起飞成为众人看好的商

  https://www.alighting.cn/news/2012514/n821439698.htm2012/5/14 10:02:39

科锐推出50a碳化硅功率器件 实现低成本高能效

v z-fet?碳化硅mosfet器件和三款z-rec?碳化硅肖特二极管,能够提供创纪录的能效以及比传统技术更低的拥有成本,开创了新一代电源系

  https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49

未来5年氮化衬底引领led衬底发展潮流

料的氮化

  https://www.alighting.cn/news/2012513/n223539678.htm2012/5/13 21:13:55

苏州纳维徐科:未来5年,氮化衬底引领高端器件发展潮流

  https://www.alighting.cn/news/2012512/n475339669.htm2012/5/12 11:34:04

爱思强与波兰华沙大学签订mocvd系统新订单

德国爱思强股份有限公司今日宣布,与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同,华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器,将用于氮化(gan)材

  https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35

日本开发出使led发光效率提高1倍的gan晶圆

日本碍子称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的gan(氮化)晶圆。该晶圆在生长gan单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透

  https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39

日本碍子开发出可使led发光效率提高1倍的gan晶圆

日本碍子2012年4月25日发布消息称,开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的gan(氮化)晶圆。该晶圆在生长gan单结晶体时采用自主开发的液相生长法,在整个晶圆表面实现

  https://www.alighting.cn/pingce/20120508/122438.htm2012/5/8 11:17:20

十二五专项规划力挺led照明,5年规模达5000亿元

据意见稿提出,十二五半导体照明的具体目标为,白光led器件光效达国际同期先进水准(150-200 1m/w),led光源/ 照明灯具光效达到80 lm/w,矽半导体照明、创新应

  https://www.alighting.cn/news/20120508/99412.htm2012/5/8 10:08:58

2012年led照明产业最值得关注的热点

现。  热点二:2012年led封装技术四大发展趋势  led封装技术目前主要往高发光效率、高可靠性、高散热能力与薄型化四个方向发展,目前主要的亮点有:硅led、cob封装技术、覆晶

  http://blog.alighting.cn/langshi/archive/2012/5/7/273708.html2012/5/7 17:55:08

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