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上海 ims research在2011年4月1日刚刚发布了最新一季的GaN led供求报告，报告显示2011年对于led供应链来说又是光明的一年。然而，led上游供应链的蓬勃态
https://www.alighting.cn/news/201146/n256031084.htm2011/4/6 10:56:02
上海ims research在2011年4月1日刚刚发布了最新一季的GaN led供求报告，报告显示2011年对于led供应链来说又是光明的一年。然而，led上游供应链的蓬勃态势
https://www.alighting.cn/news/20110406/90516.htm2011/4/6 9:22:15
台钻科技(郑州)有限公司在钻石半导体、钻石晶体生长及钻石工具研究、开发、制造均领先全世界3至10年。苑执中博士表示，钻石半导体能研发成功的话将会对高功率led芯片产生革命性影响。
https://www.alighting.cn/special/20110403/index.htm2011/4/2 11:08:26
GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/20110330/116646.htm2011/3/30 10:07:12
日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。
https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31
外媒报导，日本田村制作所与光波公司，开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件，预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。该led元件与以前使用蓝宝石基板的le
https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25
似的lisrpo4:eu2+和nabapo4:eu2+相比其峰值有明显红移。eu2+在licapo4晶体中可被250～440nm光有效激发,这与紫外发光二极管的发射光谱(350～410n
https://www.alighting.cn/resource/20110324/127824.htm2011/3/24 18:49:36
前主要用于大功率半导体器件，比如整流二极管，硅可控整流器，大功率晶体管等。单晶硅和多晶硅应用最
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17
用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
