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功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

" width=360   从结构图中看出,si衬底芯片为倒装薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

1。      从结构图中看出,si衬底芯片为倒装薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属、金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

国内led全产业链上市公司汇总

做直下式,用倒装技术,特点是不用金线。 下游 应用环节分属各自行业(如照明、tv、汽车等),未来市场空间巨大,但目前行业高度分散且无明显龙头企业。 证通电子(15.93,

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/2/10/131885.html2011/2/10 8:49:00

国内led全产业链上市公司汇总

做直下式,用倒装技术,特点是不用金线。 下游 应用环节分属各自行业(如照明、tv、汽车等),未来市场空间巨大,但目前行业高度分散且无明显龙头企业。 证通电子(15.93,

  http://blog.alighting.cn/cathycao99/archive/2011/2/12/132339.html2011/2/12 13:15:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00

印制电路板工艺设计规范

j(smallout-linej-leadedpackage):j形引线小外形封装。  cob(chiponboard):板上芯片封装。  flip-chip:倒装焊芯片。  片式元件(chi

  http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/20/222189.html2011/6/20 15:31:00

功率型led的封装技术

n led”其结构如图3 所示,根据报导,该封装结构的特点是采用热电分离的形式,将倒装芯片用硅载体直接焊接在热沉上,并采用反射杯、光学透镜和柔性透明胶等新结构和新材料,具有较高的取

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增大芯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230167.html2011/7/19 0:22:00

提高取效率降热阻功率型led封装技术

阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增大芯

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230168.html2011/7/19 0:22:00

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