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面增加光线的透出等等。有一些高亮度led芯片上p-n两个电极的位置相距拉近，令芯片发光效率及散热能力提高。而最近已有大功率led的生产，就是利用新改良的激光溶解（lase
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
可取代白炽灯泡的大功率led的问世产生了对能有效匹配led和可用电源(电池、汽车电子系统等)的电路的需求。不论电源输出电压如何变化，这种电路也应当能调节和控制led的光输出。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134140.html2011/2/20 23:04:00
度等方面的性能要求。根据新制定的行业标准“半导体发光二极管测试方法 ”，主要有发光峰值波长、光谱辐射带宽、轴向发光强度、光束半强度角、光通量、辐射通量、发光效率、色品坐标、相关色温、
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134136.html2011/2/20 23:02:00
长，可靠耐用，维护费用极为低廉led可连续使用105h，比普通白炽灯泡长100倍； 2)高效率现在已经可以达到201m／w．预计到2005年将达到501m／w[1]，led)的光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00
动设计的新要求 要将传统的氙气闪光灯放置到尺寸相当紧凑的手机内对设计工程师来说极具挑战性，因为除了粗大的闪光用高压电容外，还必须加上灯泡以及相关的变压器与电子线路，而传统的闪光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
了许多新的应用，因此能够持续吸引更多的用户。这些新投入使用的hbled包括：显示器、汽车标志牌、信号灯、移动设备及照明设备。 对hbled的控制 总的来说，由于led拥有非线
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
n led外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)衬底上成功生长出了高质量的ingan mqw蓝光led外延片，x射线双晶对称和非对称摇摆曲线的半高宽已经达
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
v；发光效率大于20lm／w，优于白炽灯泡，次于荧光灯(601m／w～100lm／w)，2004年，发光效率可提高到60lm／w，接近荧光灯水平，从而可大量用于照明市场；光通量为231
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
以解决的技术问题。 在承担的国家级科技攻关项目中，我们将新设计的dis1xxx系列浮压恒流集成二极管与led芯片通过厚膜集成电路工艺技术集成为一体，解决了集成功率级led在使用
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
计进行了计算和分析。 作为卤素灯低压照明的一种替代技术，led照明日益流行。与卤素灯泡不同的是，led没有效率低、可靠性差以及使用寿命短等问题的困扰。本文描述了一种在直流照明系
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
