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v;发光效率大于20lm/w,优于白炽灯泡,次于荧光灯(601m/w~100lm/w),2004年,发光效率可提高到60lm/w,接近荧光灯水平,从而可大量用于照明市场;光通量为231
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134113.html2011/2/20 22:51:00
线。产品温度漂移的试验环境温度为-50~100℃,以25℃/40ma为参考基准,100℃时的最大温度漂移为1.64μa/℃, -50℃时的最大温度漂移为1.49μa/℃。在正常环
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
使l1上的电流以di/dt=vl1/l1的斜率上升。其中di/dt单位为安培/秒、vl1的单位为伏、l1的单位为亨。 q1 与 r1上的压降忽略不计,因为q1的导通电阻rd
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
现代光学耦合器的核心是输入端的led和输出端的光电探测器. 它们被绝缘的光传导介质隔开。光电探测器可以是光电晶体管,可以是带有晶体管的光电二极管,也可以是集成式检测器/逻辑集成电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
v641620是flash存储器芯片,单片存储容量为16 m图2485接口电路、a6b595和a6276级联电路原理图位(2 mb),8/16位数据宽度,本系统采用16位数据宽度的工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134099.html2011/2/20 22:20:00
果需要产生350毫安的恒定电流,您将需要:r=v/i,此时r=(5v-3.0v)/350ma=5.7ω。 可以看到,采用这些值,r将消耗r×i2即0.7瓦(几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
光led阵列所取代。 更有甚者,人们还在利用一种电“可操纵”型高电流led阵列来开发车前灯,而该领域一直是被卤素/氙灯丝设计所把持的。几乎所有的汽车照明应用(包括车身内部/外部照
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00
而增加,目前,很多功率型led的驱动电流可以达到70ma、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
0一1000w/(m2·k)之间,从图中可以看出,当换热系数为200w/(m2·k)时,在29个太阳下,太阳电他的温度达到100℃;当换热系数为1000w/(m2·k)时,在134个太
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
它产品需求十分巨大。2002年,仅广东和深圳用于制造出口太阳能草坪灯消耗的太阳能电池就达到2mw,相当于当年国内太阳能电池产量的1/3,今年仍然保持强劲的发展势头,这是人们没有预
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