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浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而gan(氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262668.html2012/1/29 0:36:52

探讨照明用led封装如何创新

装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装,在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片,内部的联线是混联型式,即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262738.html2012/1/29 0:41:32

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是gan的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led封装技术探讨

、四个led芯片,可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装,在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片,内部的联线是混联型式,即有多个芯

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268593.html2012/3/17 13:37:48

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271697.html2012/4/10 23:22:48

浅谈led產生有色光的方法

d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而gan(氮化鎵)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led,被称为二元素发光管。而目

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26

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