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本文主要简单的阐述了导热硅脂跟导热硅胶的区别，有借鉴价值；
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126985.htm2011/10/20 17:14:12
采用分子束外延方法在室温下于si(001)表面上生长zno材料。实验发现:样品为闪锌矿和六角结构的zno混合多晶薄膜,其表面分布着一系列具一定取向的近似长方形的纳米台柱结构。在不同
https://www.alighting.cn/resource/20111020/126988.htm2011/10/20 14:37:15
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的gan作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延gan材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
10月13日，在晶能光电(江西)有限公司采访时，该公司coo(首席运营官)张大鹏告诉记者，该公司拥有的硅衬底led材料与器件技术是本土化技术，大幅度降低了生产成本，而且是一项改
https://www.alighting.cn/news/20111018/99953.htm2011/10/18 9:16:04
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (atr-ftir) ,研究了 si(1 1 1 )在不同比例的 nh4f-hcl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59
tb62d701和tb62771产品集成dc-dc升压控制器和多功率mosfet来控制电流。并采用东芝尖端混合信号亚微米硅工艺技术将驱动和其它组件集成在一个芯片上，从而该芯片具
https://www.alighting.cn/news/20111017/114657.htm2011/10/17 9:37:24
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
bridgelux公司决定将重心从蓝宝石衬底led制造转移至成本更低的硅衬底led制造。目前公司正逐步减少蓝宝石衬底led制造，这是造成公司大幅裁员的原因。
https://www.alighting.cn/news/2011929/n083134798.htm2011/9/29 11:49:03
针对目前的市场状况，在现阶段，为了取代传统灯具，led的调光技术发展将以高效、高兼容性的可控硅调光解决方案为主。但在led成为主流照明光源后，将开发设计针对led光源特性的更为高
https://www.alighting.cn/news/20110929/89980.htm2011/9/29 10:08:43
