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在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸为
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
对于全彩led显示屏，led灯珠作为其最关键的部件，led灯珠的品质对led显示屏的品质起着很重要的决定作用。
https://www.alighting.cn/resource/20130909/125343.htm2013/9/9 14:05:22
荷兰皇家飞利浦电子公司首席执行官万豪敦先生表示：“我们对第四季度取得持续增长的经营业绩感到满意。通过我们的‘加速成长’计划，我们在促进飞利浦的灵活性和创业变革方面取得了良好的进展，
https://www.alighting.cn/news/2013130/n582148712.htm2013/1/30 16:07:58
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
利用射频等离子体辅助分子束外延(rf-mbe), 通过在蓝宝石(0001)衬底上预先沉积金属ga薄层的方法生长出了高质量的zno单晶薄膜. 这个ga薄层的引入完全抑制了导致zno薄
https://www.alighting.cn/2013/5/29 9:57:49
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研究了
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
中国科学技术部22日下午在北京向媒体通报称，当前，半导体照明拥有巨大的产业、经济、科技和社会效应，被全球多个国家视为战略性新兴产业。“半导体照明是一个全球性的机会，强化全球合作是其
https://www.alighting.cn/news/2013225/n943349196.htm2013/2/25 15:46:44
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的微
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
使用脉冲激光沉积(pld)方法在石英(sio2)和单晶si(111)基底上制备了具有高c轴择优取向的zno薄膜。测试结果显示:在30～70sccm氧气流量范围内,氧气流量50scc
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
