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用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材料非
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
veeco相关人士指出，“maxbright的价值主张是明确的：它是最高的生产力mocvd系统制造高亮度led市场上。该架构支持单腔或多腔层的生长能力，提高led结构过程的灵活性高
https://www.alighting.cn/news/2011210/n132830261.htm2011/2/10 18:35:34
近日，世界级mocvd厂商-veeco宣布：其引进的turbodisc ? maxbright?氮化镓(GaN)有机金属化学气相沉积法(mocvd)多反应器系统，用于生
https://www.alighting.cn/pingce/20110210/123082.htm2011/2/10 13:30:04
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
.86的黄光 led等。由于製造採用了镓、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为叁元素发光管。 而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127092.html2011/1/12 17:24:00
少是mocvd系统制造商的一个关键目标。影响mocvd工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析，我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00
界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
e晶圆。之后，利用激光照射溶解掉GaN类结晶层与蓝宝石底板的界面部分，剥离蓝宝石底板。 近年来，为了增加从led芯片中提取光线，在基片上形成半导体结晶层后，将基片张贴到其他基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
v;整个方案效率大于90%;总功耗：15瓦;最大的光通量：1,250流明。 2. led模组部分 cl-822 led主要材料为nichia的晶圆和荧光粉。正向电压值为3.
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127036.html2011/1/12 16:41:00
led 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（wafer fabrication）、晶圆针测工序（wafer probe）、构装工序（packaging）、测试工序（initia
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
