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子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58
术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18
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http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22
粉老化，严重影响器件的光学性能。 其次，ｌｅｄ散热问题是很大程度上取决于器件的封装结构和封装材料。针对传统ｌｅｄ采用的正装结构，为了改进它的散热而产生的芯片倒装技术，同时受硅片材
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59
