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大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261609.html2012/1/8 21:57:49
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。 因此，对于大工作电流的功率型le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51
w。开发出最大发光功率5w、120lm的白光led。 osram和gree开发出碳化硅衬底的gan器件。 国外led的技术发展趋势是向大功率、高亮度、高效率、低成本方向发展。1．
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261576.html2012/1/8 21:51:22
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
用，都比较完善。可以很方便买到生产设备和原料，接单也容易。”重复建设成隐忧谨防蹈多晶硅覆辙据广东省省情调查研究中心相关报告显示，广东led企业主要位于产业链的中、下游，核心芯片特别是大
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261565.html2012/1/8 21:50:57
夫（lossewo。w。）在1923年就发现了半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体的p－n结电致发光原理制成的发光二极管只是到了60年代后期才得以迅速发展。近年来，由
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261562.html2012/1/8 21:50:50
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48
蚀 - n型电极（镀膜、退火、刻蚀） - p型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片 - 芯片分检、分级 具体介绍如下： 固定：将单晶硅棒固定在加工台上。 切片：将单晶硅棒切成具
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261548.html2012/1/8 21:49:35
电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对gan外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和SiC低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261531.html2012/1/8 21:48:34
