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样电路，为显示电路提供0～5 V范围的峰值电压采样值。(6)辅助电源，为控制电路、驱动电路和显示电路提供电源。电源整机电路方框图如图1所示。3冷光片测试电源控制部分硬件结构设计3．
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230292.html2011/7/19 23:44:00
用bicmos工艺设计的pwm高效led驱动控制芯片。它在输入电压从8V(dc)到450V(dc)范围内均能有效驱动高亮度led。该芯片能以高达300 khz的固定频率驱动外部mos－fe
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230290.html2011/7/19 23:43:00
式根据内部灰度寄存器的值进行4096级灰度控制，该寄存器是12位的，每个通道led的驱动电路由6位点校正寄存器的值进行64级控制，且驱动电流的最大值可通过片外电阻设定。64级电流控
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230291.html2011/7/19 23:43:00
1的每个通道可用pwm方式根据内部灰度寄存器的值进行4 096级灰度控制，该寄存器是12位的，每个通道led的驱动电路由6位点校正寄存器的值进行64级控制，且驱动电流的最大值可通过
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230289.html2011/7/19 23:42:00
代，1963年pope报道了蒽单晶片在400V电压的作用下的发光现象。直到1987年c. w. tang[2]等人首次采用双层器件结构得到了高性能的oled后，oled技术才引起各国专
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y在2007年所销售的70吋led背光液晶电视的耗功率已经大幅下降到200w，所采用的3原色led数量还是450颗，这样的数字是相当惊人的，因为利用2年左右的时间，就可以将耗电量减少一
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由电流控制的器件，其电压降相对较低。最简单的方法是使用电阻限制led的电流，但该方法并不适合采用额定电压为12V或24V电池的系统，因为电池的实际电压是从6V至18V或12V至36
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s of led technology are most beneficial in the low Voltage ( 12 to 24 Volt dc) automotiV
http://blog.alighting.cn/yunaoled/archive/2011/7/19/230232.html2011/7/19 15:47:00
高压集成电路企业power integrations公司7月12日发布了一份新的设计范例报告der-274，介绍一款采用有源功率因数校正技术且功率因数高达0.97的900 w电
https://www.alighting.cn/pingce/20110719/122936.htm2011/7/19 11:55:56
