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用氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时,可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法,这也是其特点之一,

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

用氧化制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比,β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

浅析led灯具向室内照明发展的技术要求

是芯片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动。首先是芯片,目前,led芯片技术发展的关键在于底材料和外延生长技术。底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化等新

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/4/19/272395.html2012/4/19 9:12:24

三、大功率led光源核心技术与优势

断。gan芯片发蓝光(λp=465nm,wd=30nm),高温烧结制成的含ce3+的yag荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射,峰值550nm。蓝光led片安装在碗形反射腔中,覆盖以

  http://blog.alighting.cn/15196/archive/2012/4/17/272312.html2012/4/17 17:20:01

韩国研究中心选择veeco mocvd用于led技术研研发

veeco公司(veeco)今日宣布,韩国的led –it 融合技术研发中心(liftrc)近日选择了turbodisc? k465i?氮化金属有机化学气相沉积系统(mocv

  https://www.alighting.cn/news/2012416/n168738871.htm2012/4/16 9:17:37

激光剥离技术实现垂直结构gan led

为改善gan 发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度

  https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49

led知识大全

led光谱晶片,什么是led晶片?  一、led晶片的作用:  led晶片为led的主要原材料,led主要依靠晶片来发光。  二、led晶片的组成  主要有砷(as)铝(al)

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271820.html2012/4/10 23:38:15

led散热铝础知识

特的金属覆铜板,具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座,从而减少灌封胶部分产生的热

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271815.html2012/4/10 23:37:58

led知识概述

6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而gan(氮化)的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271810.html2012/4/10 23:37:24

led芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

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