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led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258864.html2011/12/20 15:57:41

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261424.html2012/1/8 21:28:11

led芯片的技术发展状况

向出光利用率。  1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标,tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收(有源区吸收和自由截流子吸收等)引起的

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262595.html2012/1/29 0:32:32

led芯片的技术发展状况

向出光利用率。  1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标,tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收(有源区吸收和自由截流子吸收等)引起的

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

向出光利用率。  1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标,tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收(有源区吸收和自由截流子吸收等)引起的

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

向出光利用率。  1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标,tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收(有源区吸收和自由截流子吸收等)引起的

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led光源介绍

年来,随着人们对半导体发光材料研究的不断深入,led制造工艺的不断进步和新材料(氮化晶体和荧光粉)的开发和应用,各种颜色的超高亮度led取得了突破性进展,其发光效率提高了近100

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271697.html2012/4/10 23:22:48

led芯片的技术发展状况

向出光利用率。  1999年hp公司开发了倒金字塔形alingap芯片并达到商用的目标,tip结构减少了光在晶体内传输距离、减少了内反射和吸收(有源区吸收和自由截流子吸收等)引起的

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

有研稀土:将led国产化进行地更加彻底

体的光参数方面,尤其是色坐标和峰值波长上做了精细化的改进。另外在亮度方面包括晶体结构、微观上也都有进行改进,所以黄绿粉方面在行业内的亮度是非常高的。而红色荧光粉方面,在前期与客户

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