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现,其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示, 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品,不论在散热与输出功率上均有竞争利基,目前也已少量供货,预期可望成
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262794.html2012/1/29 0:45:40
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led,晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
源,持续稳定支持基础研发,突破未来的白光普通照明核心技术,建立长效机制与创新的环境与氛围,在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究,实现重大装备国产
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底:层叠反射层在gap基led外延层上,键合导电支持衬底,剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括,砷化鎵衬底,磷化鎵衬底,硅衬底,金属及合金等。另外,生长在硅片上的垂直GaN基led也
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
车后部的高位刹车灯,90年代大功率led的工作电流达到50-70ma。 1995年,日本日亚化学工业公司成功开发出蓝光led后,世界上结束了没有原色蓝光的历史,在全球掀起了ga
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。 一般来说,GaN的成长须
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262722.html2012/1/29 0:39:56
特的金属基覆铜板,具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座,从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262713.html2012/1/29 0:39:24
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素,所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN(氮化镓)的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
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电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
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